0512-53353533
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1205设计用于以同步降压、升压或半桥配置驱动高侧和低侧增强模式氮化镓(氮化镓)FET。该器 件有一个集成的100V自举二极管和独立的输入,用于高侧和低侧输出,以实现最大的控制灵活性。高压侧 偏置电压使用自举技术产生,内部钳位为5V,可防止栅极电压超过增强型氮化镓FET的最大栅极源极电压额 定值。1205DSY的输入与TTL逻辑兼容,无论VDD电压如何,都能承受高达14V的输入电压。器件具有 分闸输出,可灵活地独立调整导通和关断强度。 此外,1205强大的吸收电流能力将栅极保持在低电平状态,防止在切换期间意外开启。1205 的工作频率可达数MHz。1205采用12引脚DSBGA封装,具有紧凑的尺寸和最小化的封装电感。
• 独立的高端和低端TTL逻辑输入 • 1.2A峰值源电流,5A吸收电流 • 高端浮动偏置电压轨的工作电压高达100VDC • 内部自举电源电压钳位 • 分体式输出,用于调节开启、关闭强度 • 0.6Ω下拉电阻,2.1Ω上拉电阻 • 快速传播时间(典型值为35ns) • 出色的传播延迟匹配(典型值为1.5 ns) • 供电轨欠压锁定 • 低功耗 • 封装形式:DSBGA-12
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